Переход на новую технологию позволит удвоить количество транзисторов, размещаемых на одном кристалле, по сравнению с традиционными. Новый технологический процесс имеет несколько составляющих: высокопроизводительные и экономичные транзисторы, технологию напряженного кремния второго поколения, высокоскоростные медные соединения и материал с низкой диэлектрической проницаемостью. Применение напряженного кремния позволяет повысить рабочие токи транзисторов и их быстродействие при увеличении себестоимости всего на два процента. Новый процесс также предусматривает использование восьми слоев медных соединений и нового диэлектрического материала, что дает возможность повысить скорость распространения сигналов в кристалле и снизить энергопотребление процессора. Полупроводниковые компоненты на базе 65-нм технологического процесса были изготовлены на опытном заводе D1D корпорации Intel по обработке 300-миллиметровых подложек в Хиллсборо, штат Орегон, где этот технологический процесс и был разработан. D1D – самый современный завод корпорации, обладающий самой большой среди производств Intel единой “чистой комнатой” площадью более 16 тысяч квадратных метров – примерно три с половиной футбольных поля. Серийное производство микросхем по 0,065-микронной технологии на 300-миллиметровых подложках планируется начать в 2005 году.